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IPB65R660CFDA供应商库存 共有222条更新时间:2022-3-22 8:02:00

IPB65R660CFDA中文资料资料下载文件大小:2342 Kbytes页面数量:15 页描述:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor厂家:INFINEON [Infineon Technologies]
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IPB65R660CFDATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Infineon Technologies IPB65R660CFDATMA1 MOSFETs 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263

IPB65R660CFDAATMA1功能描述:MOSFET COOL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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