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场效应管/MOSFET

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    型号IPD30N03S4L-14库存搜索

    类型场效应管/MOSFET数量7500品牌英飞凌批号1646+封装TO-252

    详情技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:30V Id-连续漏极电流:30A RdsOn-漏源导通电阻:13.6mOhms Vgs-栅极-源极电压:-16V,+16V Vgsth-栅源极阈值电压:1.5V Qg-栅极电荷:14nC 最

  • 深圳市汇创佳电子山猫体育直播有限公司

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    更新时间2021-12-20 10:48:00

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